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(KAM)是由24个最近的相邻点组成的一个核心点，科技它被用来给每一个点分配一个标量值，表示它的局部取向差。因此，有限在诸如应力腐蚀开裂、晶界变形协调性等研究中有广泛的应用。一般来说，国家公司几何位错密度可以用下列公式来表示：国家公司ρGND=2KAMave⁄μb其中μ是EBSD实验所选步长，是Burgers矢量的长度，KAMave代表所选区域的平均KAM值，其可用下面公式来计算：KAML,i是在点i处的局部KAM值，N代表测试区域点的数目。
图2AZ31B镁合金在不同循环周期下利用KAM图计算几何位错密度值[2]3.利用GOS定性判断位错密度晶粒取向扩展(GOS)是区分DRX晶粒与变形基体以及确定再结晶晶粒面积分数的重要方法，电投在本质上，电投它是在一个单一晶粒内的平均偏差和所有测量值之间的平均差值。从右边的大小角晶界分布的柱状图中可以看到，组建综合智慧小角晶界占有一定的比例，组建综合智慧尤其是2°左右的晶界频率很高，这表示材料内部含有许多变形晶粒存在，同时2-15°的亚晶界也占有一定的比例，各种程度的大角晶界虽然不是主导，但也存在。
GOS大意味着晶格畸变严重且位错密度高，科技而GOS低的晶粒则具有均匀的应变分布
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